一、从“看得清”到“测得准”：半导体照明的第二次革命28 nm → 14 nm → 7 nm → 3 nm，线宽逼近原子级，光学检测却必须面对三大矛盾：
照度越高，热漂移越大；
波长越短，芯片寿命越短；
积分时间越短，信噪比越差。
SENA 用 SELONE N 系列给出新答案：
‑ 在 400-700 nm 可见区输出 3.8×10⁶ lx(@100 mm WD)，比传统 200 W 卤素提升 2.3 倍；
‑ 灯体表面温升 < 8 °C，无需主动风冷；
‑ 寿命 50 000 h，L70 光衰 < 5 %，是卤素的 16 倍；
‑ 支持 0-100 % 无级调光、10 kHz 高频斩波，可帧同步、线同步、脉冲同步。
一句话：把“太阳级”照度装进一颗冷光源，让半导体量测/检测/对准系统在不升温的前提下跑出“极限帧率”。
二、核心技术拆解
多晶 CUD(Copper-on-Diamond)基板
‑ 热导率 650 W/m·K，比 AlN 高 4 倍，结温直降 18 °C；
‑ 基板厚度 0.3 mm，可把 120 W 电功率压缩到 12 mm×12 mm 发光面，实现 10 W/mm² 功率密度。
8 通道窄波矩阵 LED‑ 405/450/505/530/590/625/660/740 nm 八波段独立可控；‑ 每通道 16 bit 调光，可在 1 ms 内切换“明场→暗场→红外穿透”三种照明模式，无需机械滤光轮。
Fly-Eye 积分棒 + 微透镜阵列
‑ 出光面不均匀度 < 2 %(Φ100 mm 靶面)；
‑ 远心度 < 0.05°，与高精度 Telecentric Lens 匹配，边缘视场测量误差 < 30 nm。
主动电源闭环
‑ 内置积分球采样器，每 10 µs 读取一次光通量，实时补偿 LED 结点老化、驱动温漂；
‑ 30 min 稳定性 ±0.1 %，满足 SEMI S2 量测级光源要求。
三、半导体典型用途
Overlay 套刻对准
‑ 590 nm+660 nm 双波同轴照明，抗 Cu/Al 栅格眩光；
‑ 照度 3.8×10⁶ lx，对准相机积分时间从 5 ms 缩至 1.2 ms，套刻误差预算降低 0.3 nm。
2 E-beam 写场前预对准
‑ 405 nm 短波高吸收，对 TaN 标记对比度提升 40 %；
‑ 10 kHz 频闪与束闸同步，避免连续照明造成光刻胶漂移。
3 电子封装 ABF 缺陷检测
‑ 740 nm 近红外穿透 120 µm 黑色 ABF，可一次性检出 5 µm 气泡/异物；
‑ 八波段分时频闪，替代 4 组卤素+滤光片，检测 UPH 提升 28 %。
4. 3D NAND 深孔 CD-SEM 前预检
‑ 505 nm 窄波配合暗场散射，提前发现 50 nm 深孔桥接，减少 SEM 复检 35 %。
5.Micro-bump 共面性量测
‑ 530 nm 绿光+结构化条纹，实现 0.5 µm 高度分辨率，与白光干涉仪相关性 R=0.99，速度提升 5 倍。
四、落地数据
• 国内 12″ 逻辑厂 14 nm 产线
– 替换 250 W 卤素，单台节省 1.2 kW 功耗，全年省电 10 万度；
– 光源维护周期从季度延长到 3 年，OEE + 2.1 %。
存储器龙头 3 nm pilot
– SELONE N 405 nm 通道与 EUV 曝光机预对准模块集成，对准标记捕获率由 97 % 提升到 99.5 %；
– 单批次 25 片 wafer 预对准时间缩短 18 s，折算年化产能 + 1.8 万片。
五、选型与集成指南
出光方式
‑ 光纤版本：Φ8 mm 液芯光纤，弯曲半径 50 mm，适合机械手内照明；
‑ 直线版本：内置 45° 反射镜，高度 35 mm，可直接替换传统卤素灯导轨。
2 控制接口
‑ 标配 Ethernet/IP + Modbus TCP，提供 LabVIEW/MATLAB 驱动；
‑ 硬件触发：5 V TTL，延迟 < 100 ns，抖动 < 50 ns。
3 热管理
‑ 自然散热可满足 50 % 占空比；
‑ 100 % 连续输出时，外接 1 L/min 水冷板即可把壳温控制在 35 °C 以下。
4 安全与认证
‑ IEC 62471 Exempt 等级，表面无 UV 泄露；
‑ SEMI S2/S8、CE、RoHS 全部通过，可直接上 FAB 二次配。
六、结语
当 EUV、High-NA、GAA 成为头条，人们容易忽略：70 % 的良率损失仍来自“测不准”。SELONE N 用一颗冷光源把照度推向 10⁶ lx 量级，让“可见光”在 3 nm 时代继续担当守门员——它不抢风头，却能让 overlay 再稳 0.3 nm，让缺陷再小 2 µm，让产能再多 3 %。
在半导体制造的纳米长跑里，SELONE N 就是那束不发热的“冷太阳”，照亮每一道关键工序，也照亮良率与成本的下一个拐点。
更新时间：2026-01-26 
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